EDS 10IC靜電放電發(fā)生器針對(duì)人體模型(HBM)和機(jī)械模型(MM)的靜電放電抗擾度試驗(yàn)的特點(diǎn)和要求專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì),可以對(duì)LED、晶體管、IC等半導(dǎo)體器件進(jìn)行靜電抗擾度的測(cè)試。符合IEC、ESDA、JEDEC和MIL等相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)的要求,同時(shí)完全滿(mǎn)足上述所有標(biāo)準(zhǔn)中*嚴(yán)酷等級(jí)的靜電電壓要求。
特點(diǎn):
>全新三代控制平臺(tái) ,觸摸屏智能化控制。
>自動(dòng)識(shí)別阻容模塊,并調(diào)整*大電壓。
>*低電壓5V,1V步進(jìn)精準(zhǔn)調(diào)節(jié)電壓
>可完成單次或自動(dòng)放電測(cè)試,可設(shè)置次數(shù)、頻率等參數(shù)。
測(cè)試連接示意圖1 EDS-HBM:
測(cè)試連接示意圖2 EDS-MM:
產(chǎn)品參數(shù):
技術(shù)參數(shù) |
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HBM 短路電流參數(shù) |
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放電電容 |
100pF |
放電電阻 |
1500W |
峰值電流Ips |
0.17A+10% @250V 0.33A+10% @500V 0.67A+10% @1000V 1.33A+10% @2000V 2.67A+10% @4000V |
上升時(shí)間 |
2~10ns |
脈沖寬度 |
150 + 20ns |
振鈴幅度 |
<15%峰值電流 |
HBM 500歐電阻電流參數(shù) |
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峰值電流Ipr |
375~550mA @ 1000V 1.5~2.2A @ 4000V |
Ipr/Ips |
≥ 63% |
上升時(shí)間 |
5~25ns |
MM短路電流參數(shù) |
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放電電容 |
200pF |
放電電阻 |
0W |
峰值電流Ip1 |
0.44A+20% @25V 0.88A+20% @50V 1.75A+10% @100V 3.5A+10% @200V 7.0A+10% @400V |
Ip2/Ip1 |
67%~90% |
周期 |
66~90ns |
MM 500歐電阻電流參數(shù) |
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峰值電流Ipr |
0.85~1.2A @ 400V |
100ns電流值 I100 |
0.23~0.40A @ 400V |
I200/I100 |
30%~55% |
通用參數(shù) |
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輸出電壓 |
HBM 5~8000V 5%±5V MM 5~1000V 5%±5V |
極性 |
正、負(fù)或正負(fù)交替 |
時(shí)間間隔 |
0.1-10s可調(diào) |
觸發(fā)次數(shù) |
1~999次 |
觸發(fā)方式 |
自動(dòng),單次,外觸發(fā) |
輸入電源 |
AC100~240V +/-10% 50/60Hz |
工作溫度 |
15℃~35℃ |
儲(chǔ)藏溫度 |
-10℃~50℃ |
工作濕度 |
25~75%RH |
尺寸 |
450x190x320mm(長(zhǎng)x高x深) |
重量 |
約10kg |
隨機(jī)標(biāo)配 |
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主機(jī)、說(shuō)明書(shū)、檢測(cè)報(bào)告、質(zhì)保書(shū)、測(cè)試線(xiàn)、電源線(xiàn) |
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標(biāo)配附件 |
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1.測(cè)試座 IC-DIP40
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放置IC芯片使用 |
2.測(cè)試線(xiàn) EDS 10IC-line1/line2
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測(cè)試連接使用 |